氮化硅PECVD

单位:厦门火炬石墨烯新材料公共技术服务平台

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联系人:杨女士 13055226967 / 周先生18506931993 /

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仪器分类: 电子元器件检测

上次操作人:-   /   上次操作时间:2020-07-13 11:21:31

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福建省厦门市湖里区创业路

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注意:系统只显示未来12周常规的策略和所有节假日特殊策略
标签 - 型号 LHQ-200
产地 中国 采购价 129.80 万元 采购日期 2019/3/11
生产公司 鲁汶仪器 性能指标 1、主反应腔室:可提供高真空、射频、高温、等离子体环境的腔室,完成镀膜的场所; 2、LHQ-200 系统平台:镀膜系统还包括 RF 射频系统、供气系统、抽气系统、冷却系统,供 气系统由流量计控制其流量,并由真空计测其真空度; 3、RF 射频系统:LHQ-200 的 RF 射频匹配器电源功率 1000W,使用范围 0~1000W。 用途 用于在基片上生成高质量 SiNx,SiO2和α-Si 等薄膜。
有效期 - 操作说明 -
介绍说明

本设备是一种新型的 PECVD(等离子增强化学气相淀积),它是借助射频使含有薄膜组成原子 的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出 所期望的薄膜。本设备可以用于在基片上生成高质量 SiNx,SiO2和α-Si 等薄膜。


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- 氮化硅PECVD

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